
產(chǎn)品中心


SPTS作為的深硅刻蝕和犧牲層刻蝕設(shè)備的供應(yīng)商,SPTS能夠提供一系列的解決方案來滿足客戶的生產(chǎn)和開發(fā)要求。通過一系列的技術(shù)的開發(fā),SPTS能為客戶提供一系列的優(yōu)良的工藝,比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的封裝(3D封裝和芯片級封裝)。
產(chǎn)品型號:SPTS
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
更新時間:2026-02-10
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深硅刻蝕工藝的主要過程包括:
1) 鈍化處理過程(C4F8等離子體)
一階段:由C4F8產(chǎn)生CFn聚合物沉淀在所有的表面
2) 刻蝕過程(SF6等離子體)
第二階段:由于離子體的定向運動,基面上的聚合物被去除的速度要比在側(cè)壁的去除速度快。
第三階段:暴露的硅表面就會被F系物刻蝕掉,SF6源源不斷提供等離子體,來實現(xiàn)深寬比的刻蝕。
深硅刻蝕的主要應(yīng)用包括: MEMS,封裝(TSV),功率器件等等。
的深槽刻蝕設(shè)備,可以提供快的刻蝕速度,但同時保證側(cè)面特征良好控制和一致性。通過 軟件以及硅技術(shù)實現(xiàn)了性能的工藝控制。
parameter ramping技術(shù):
實時調(diào)節(jié)工藝過程參數(shù),以達(dá)到佳側(cè)面輪廓。
arlen.lin@szkesda.com
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